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产品类型

本征及超高阻区熔硅单晶温碧霞性感视频曝光,小泽无毒网,医院厕所接尿化验偷拍(FZ-Silicon)
通过区熔工艺拉制的低杂质含量、温碧霞性感视频曝光低缺陷密度,晶格结构完美的硅单晶,晶体生长过程中不引入任何杂质,其电阻率通常在1000Ω•cm 以上,我用肉棒插妹妹的嫩穴主要用于制作高反压器件和光电子器件。
中子辐照区熔硅单晶(NTDFZ-Silicon)
本征区熔硅单晶通过中子辐照可获得高电阻率均匀性的硅单晶,无意间的偷窥真刺激啊保证了器件制作的成品率和一致性。主要用于制作硅整流器(SR)、温碧霞性感视频曝光,小泽无毒网,医院厕所接尿化验偷拍可控硅(SCR)、巨型晶体管(GTR)、晶闸管(GRO)、静电感应晶闸管(SITH)、五月天色片下载绝缘栅双极晶体管(IGBT)、超高压二极管(PIN)、 智能功率器件(SMART POWER)、功率集成器件(POWER IC)等,性爱舞台表演bt是各类变频器、整流器、大功率控制器件、新型电力电子器件的主体功能材料,性交舞会也是多种探测器、传感器、光电子器件和特殊功率器件等的主体功能材料。
气相掺杂区熔硅单晶(GDFZ-Silicon)
利用杂质的扩散机理,荀琳最大胆人体艺术摄影在用区熔工艺拉制硅单晶的过程中加入气相杂质,温碧霞性感视频曝光,小泽无毒网,医院厕所接尿化验偷拍从根本上解决了区熔工艺掺杂困难的问题,可得到任意导电型号、宽电阻率范围、电阻率均匀性与中子辐照相当的大直径低成本区熔气掺硅单晶,其电阻率在0.01-200Ω.cm,少子寿命达500-2000ms,径向电阻率不均匀性≤10%,。淫荡激情20p适用于制作各类半导体功率器件、温碧霞性感视频曝光,小泽无毒网,医院厕所接尿化验偷拍绝缘栅双极晶体管(IGBT)、高效太阳能电池等。
直拉区熔硅单晶(CFZ-Silicon)
采用直拉与区熔两种工艺相结合的方式拉制硅单晶,淫妻被3P产品质量介于直拉单晶和区熔单晶之间。可掺入特殊元素例如镓(Ga)、锗(Ge)等。采用直拉区熔法制备的新一代CFZ太阳能硅片,其各项性能指标均远优于当前全球光伏产业使用的各类硅片,温碧霞性感视频曝光,小泽无毒网,医院厕所接尿化验偷拍太阳能电池转换效率高达24-26%。产品主要应用于特殊结构、背接触、HIT等特殊工艺制作的高效太阳能电池上,并更为广泛的用于LED、淫欲性交电影功率器件、汽车、卫星等众多产品和领域中。

产品规格

1、区熔硅单晶规格

2、硅片规格

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