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产品类型

本征及超高阻区熔硅单晶唐山师范学院艳照图片,偷情五日做爱视频,五月天精夫人(FZ-Silicon)
通过区熔工艺拉制的低杂质含量、唐山师范学院艳照图片低缺陷密度,晶格结构完美的硅单晶,晶体生长过程中不引入任何杂质,其电阻率通常在1000Ω•cm 以上,偷看妹妹洗澡小说五月天主要用于制作高反压器件和光电子器件。
中子辐照区熔硅单晶(NTDFZ-Silicon)
本征区熔硅单晶通过中子辐照可获得高电阻率均匀性的硅单晶,偷拍自拍11P保证了器件制作的成品率和一致性。主要用于制作硅整流器(SR)、唐山师范学院艳照图片,偷情五日做爱视频,五月天精夫人可控硅(SCR)、巨型晶体管(GTR)、晶闸管(GRO)、静电感应晶闸管(SITH)、图说人体艺术摄影绝缘栅双极晶体管(IGBT)、超高压二极管(PIN)、 智能功率器件(SMART POWER)、功率集成器件(POWER IC)等,外国领事馆工作的妈妈是各类变频器、整流器、大功率控制器件、新型电力电子器件的主体功能材料,网袜五月天也是多种探测器、传感器、光电子器件和特殊功率器件等的主体功能材料。
气相掺杂区熔硅单晶(GDFZ-Silicon)
利用杂质的扩散机理,雯雅婷全集在用区熔工艺拉制硅单晶的过程中加入气相杂质,唐山师范学院艳照图片,偷情五日做爱视频,五月天精夫人从根本上解决了区熔工艺掺杂困难的问题,可得到任意导电型号、宽电阻率范围、电阻率均匀性与中子辐照相当的大直径低成本区熔气掺硅单晶,其电阻率在0.01-200Ω.cm,少子寿命达500-2000ms,径向电阻率不均匀性≤10%,。五月天综合操逼小说适用于制作各类半导体功率器件、唐山师范学院艳照图片,偷情五日做爱视频,五月天精夫人绝缘栅双极晶体管(IGBT)、高效太阳能电池等。
直拉区熔硅单晶(CFZ-Silicon)
采用直拉与区熔两种工艺相结合的方式拉制硅单晶,西安哪里外国小姐服务产品质量介于直拉单晶和区熔单晶之间。可掺入特殊元素例如镓(Ga)、锗(Ge)等。采用直拉区熔法制备的新一代CFZ太阳能硅片,其各项性能指标均远优于当前全球光伏产业使用的各类硅片,唐山师范学院艳照图片,偷情五日做爱视频,五月天精夫人太阳能电池转换效率高达24-26%。产品主要应用于特殊结构、背接触、HIT等特殊工艺制作的高效太阳能电池上,并更为广泛的用于LED、喜羊羊与灰太狼之虎虎生威全集播放功率器件、汽车、卫星等众多产品和领域中。

产品规格

1、区熔硅单晶规格

2、硅片规格

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